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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.76613
10
¥4.496348
100
¥4.24184
500
¥4.001733
1000
¥3.775219
ON Semiconductor ISL9N315AD3ST
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- 对比
ISL9N315AD3ST
1807-ISL9N315AD3ST
无类别的
01005 (0402 Metric)
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MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
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¥
总价: ¥
ISL9N315AD3ST详情
ON Semiconductor ISL9N315AD3ST重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
01005 (0402 Metric)
表面安装
YES
供应商器件包装
1005
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tape & Reel (TR)
厂商
Kamaya Inc.
Product Status
活跃
Package Description
TO-252AA, 2 PIN
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Manufacturer Part Number
ISL9N315AD3ST
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.17
Part Package Code
TO-252AA
Drain Current-Max (ID)
30 A
操作温度
-55°C ~ 125°C
系列
RMC
尺寸/尺寸
0.016 L x 0.008 W (0.40mm x 0.20mm)
容差
±5%
无铅代码
有
终止次数
2
温度系数
±200ppm/°C
电阻
473 Ohms
端子表面处理
未说明
组成
厚膜
功率(瓦特)
0.03W, 1/32W
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
COMMERCIAL
失败率
-
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252AA
漏极-源极导通最大电阻
0.015 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
特征
-
座位高度(最大)
0.006 (0.15mm)
评级结果
-
ISL9N315AD3ST拓展信息






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