ON Semiconductor KSA812Y

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Transition Frequency-Nom (fT)

180 MHz

Manufacturer Part Number

KSA812Y

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.7

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

最大耗散功率(Abs)

0.15 W

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

135

集电极-发射器电压-最大值

50 V

VCEsat-最大值

0.3 V

环境耗散-最大值

0.15 W