ON SEMICONDUCTOR KSC2690

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

JEDEC-95代码

TO-126

转换频率

155MHz

最大耗散功率(Abs)

20W

集电极电流-最大值(IC)

1.2A

最小直流增益（hFE）

60

集电极-发射器电压-最大值

120V

VCEsat-最大值

0.7 V

环境耗散-最大值

1.2W