ON Semiconductor KSE13007FH2SMTU
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KSE13007FH2SMTU
1807-KSE13007FH2SMTU
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Bipolar Transistors - BJT
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KSE13007FH2SMTU详情
ON Semiconductor KSE13007FH2SMTU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
hFEMin
8
RoHS
Non-Compliant
Package Description
TO-220F, 3 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Part Package Code
TO-220F
Risk Rank
5.42
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Part Life Cycle Code
活跃
Number of Elements
1
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
KSE13007FH2SMTU
Transition Frequency-Nom (fT)
4 MHz
端子表面处理
未说明
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
40 W
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
COMMERCIAL
极性
NPN
配置
SINGLE
元素配置
Single
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
4 MHz
极性/通道类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
400 V
最大集电极电流
8 A
集电极基极电压(VCBO)
700 V
发射极基极电压 (VEBO)
9 V
集电极电流-最大值(IC)
8 A
最小直流增益(hFE)
5
集电极-发射器电压-最大值
400 V
KSE13007FH2SMTU拓展信息







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