ON Semiconductor KSE13009F
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KSE13009F
1807-KSE13009F
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Bipolar Transistors - BJT DISC BY MFG 2/02
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KSE13009F详情
ON Semiconductor KSE13009F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
KSE13009F
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Transition Frequency-Nom (fT)
4 MHz
Turn-on Time-Max (ton)
1100 ns
Turn-off Time-Max (toff)
3700 ns
Risk Rank
5.3
子类别
其他晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
最大耗散功率(Abs)
50 W
集电极电流-最大值(IC)
12 A
最小直流增益(hFE)
6
集电极-发射器电压-最大值
400 V
VCEsat-最大值
3 V
环境耗散-最大值
50 W
KSE13009F拓展信息







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