ON SEMICONDUCTOR KSE800
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KSE800
1807-KSE800
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KSE800详情
ON SEMICONDUCTOR KSE800重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.06
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
极性/通道类型
NPN
JEDEC-95代码
TO-126
集电极电流-最大值(IC)
4A
最小直流增益(hFE)
100
集电极-发射器电压-最大值
60V
KSE800拓展信息







哦! 它是空的。