ON Semiconductor KSH200-I

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Transition Frequency-Nom (fT)

65 MHz

Manufacturer Part Number

KSH200-I

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.72

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSIP-T3

配置

SINGLE

极性/通道类型

NPN

最大耗散功率(Abs)

12.5 W

集电极电流-最大值(IC)

5 A

最小直流增益（hFE）

10

集电极-发射器电压-最大值

25 V

VCEsat-最大值

1.8 V

集电极-基极电容-最大值

80 pF

环境耗散-最大值

1.4 W