ON SEMICONDUCTOR KSH31

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

转换频率

3MHz

最大耗散功率(Abs)

15W

集电极电流-最大值(IC)

3A

最小直流增益（hFE）

10

集电极-发射器电压-最大值

40V

VCEsat-最大值

1.2 V

环境耗散-最大值

1.56W