ON Semiconductor KSP06
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KSP06
1807-KSP06
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Bipolar Transistors - BJT NPN/80V/0.5A/50
--最小包装量--
KSP06详情
ON Semiconductor KSP06重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Transition Frequency-Nom (fT)
100 MHz
Manufacturer Part Number
KSP06
Package Shape
ROUND
Manufacturer
三星半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.38
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.95
子类别
其他晶体管
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-PBCY-W3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
JEDEC-95代码
TO-92
最大耗散功率(Abs)
0.625 W
集电极电流-最大值(IC)
0.5 A
最小直流增益(hFE)
50
集电极-发射器电压-最大值
80 V
VCEsat-最大值
0.25 V
KSP06拓展信息







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