ON Semiconductor KSP55

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Manufacturer

三星半导体

Manufacturer Part Number

KSP55

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Description

CYLINDRICAL, O-PBCY-W3

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Part Life Cycle Code

Obsolete

Risk Rank

5.57

Transition Frequency-Nom (fT)

50 MHz

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-PBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

JEDEC-95代码

TO-92

最大耗散功率(Abs)

0.625 W

集电极电流-最大值(IC)

0.5 A

最小直流增益（hFE）

50

集电极-发射器电压-最大值

60 V

VCEsat-最大值

0.25 V