ON Semiconductor L2SB1197KQLT1G
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L2SB1197KQLT1G
1807-L2SB1197KQLT1G
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L2SB1197KQLT1G详情
ON Semiconductor L2SB1197KQLT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
Package Description
,
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
L2SB1197KQLT1G
Manufacturer
LRC Leshan Radio Co Ltd
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
LESHAN RADIO CO LTD
Risk Rank
5.8
子类别
其他晶体管
Reach合规守则
unknown
配置
Single
极性/通道类型
PNP
最大耗散功率(Abs)
0.2 W
集电极电流-最大值(IC)
0.8 A
最小直流增益(hFE)
120
L2SB1197KQLT1G拓展信息







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