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ON Semiconductor LESDA6V8AW5T1G
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LESDA6V8AW5T1G
1807-LESDA6V8AW5T1G
集成电路（IC）
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大陆
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LESDA6V8AW5T1G详情
ON Semiconductor LESDA6V8AW5T1G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
5
Manufacturer Part Number
LESDA6V8AW5T1G
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
LESHAN RADIO CO LTD
Package Description
R-PDSO-G5
Risk Rank
5.78
Breakdown Voltage-Nom
6.8 V
Number of Elements
4
Operating Temperature-Max
125 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Power Dissipation (Max)
0.2 W
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.10.00.50
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G5
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
COMMON ANODE, 4 ELEMENTS
二极管类型
跨压抑制二极管
Rep Pk反向电压-最大值
5 V
最大非代表峰值转速功率Dis
20 W
击穿电压-最小值
6.4 V
最大箝位电压
13 V
击穿电压-最大值
7.1 V
LESDA6V8AW5T1G拓展信息
ON Semiconductor
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公司资质
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