ON Semiconductor LMBD914LT1G
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LMBD914LT1G
1807-LMBD914LT1G
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Diode Switching 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: LMBD914LT1G)
1最小包装量--
LMBD914LT1G详情
ON Semiconductor LMBD914LT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
3
Package Description
R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
LMBD914LT1G
Power Dissipation (Max)
0.225 W
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
LRC Leshan Radio Co Ltd
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
LESHAN RADIO CO LTD
Forward Voltage-Max (VF)
1 V
Risk Rank
5.69
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.10.00.70
子类别
研磨二极管
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE
二极管类型
接收电极
输出电流-最大值
0.2 A
Rep Pk反向电压-最大值
100 V
最大非代表Pk前进电流
0.5 A
反向恢复时间-最大值
0.004 µs
LMBD914LT1G拓展信息







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