ON Semiconductor MBR20200PT
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MBR20200PT
1807-MBR20200PT
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MBR20200PT详情
ON Semiconductor MBR20200PT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
二极管元件材料
SILICON
终端数量
3
Forward Voltage-Max (VF)
1.02 V
Ihs Manufacturer
TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
Manufacturer
台湾半导体
Manufacturer Part Number
MBR20200PT
Number of Elements
2
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-65 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Description
R-PSFM-T3
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Part Life Cycle Code
活跃
Risk Rank
5.57
Rohs Code
有
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
应用
EFFICIENCY
附加功能
FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS, UL RECOGNIZED
HTS代码
8541.10.00.80
技术
SCHOTTKY
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管类型
接收电极
箱体转运
CATHODE
输出电流-最大值
10 A
相位的数量
1
Rep Pk反向电压-最大值
200 V
JEDEC-95代码
TO-247AD
最大非代表Pk前进电流
150 A
反向电流-最大值
100 µA
MBR20200PT拓展信息







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