MC10EP08DR2
MC10EP08DR2

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ON SEMICONDUCTOR MC10EP08DR2

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型号

MC10EP08DR2

utmel 编号

1807-MC10EP08DR2

商品类别

逻辑 - 逻辑门和逆变器 - 多功能,可配置

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

XOR/XNOR Gate 1-Element 4-IN ECL 8-Pin SOIC N T/R

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MC10EP08DR2
MC10EP08DR2 ON SEMICONDUCTOR XOR/XNOR Gate 1-Element 4-IN ECL 8-Pin SOIC N T/R

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MC10EP08DR2详情

ON SEMICONDUCTOR MC10EP08DR2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    8

  • Operating Temperature (Max.)

    85°C

  • Operating Temperature (Min.)

    -40°C

  • JESD-609代码

    e0

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn80Pb20)

  • 附加功能

    NECL MODE: 0V VCC WITH VEE = -3.0V TO -5.5V

  • HTS代码

    8542.39.00.01

  • 包装方式

    TAPE AND REEL

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    240

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    3.3V

  • 端子间距

    1.27mm

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 引脚数量

    8

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G8

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    5.5V

  • 电源

    -5.2V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    3V

  • 家人

    10E

  • 输入数量

    2

  • 座位高度-最大

    1.75mm

  • 逻辑IC类型

    XOR/XNOR GATE

  • Prop. Delay@Nom-Sup

    0.3 ns

  • 传播延迟(tpd)

    0.3 ns

  • 施密特触发器

    NO

  • 电源电流-最大值(ICC)

    38mA

  • 长度

    4.9mm

  • 宽度

    3.9mm

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

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技术文档: ON SEMICONDUCTOR MC10EP08DR2.

MC10EP08DR2拓展信息

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