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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.009126
10
¥3.782192
100
¥3.568107
500
¥3.366142
1000
¥3.175601
ON Semiconductor MCH3374-TL-E
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- 对比
MCH3374-TL-E
1807-MCH3374-TL-E
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
3-SMD, Flat Lead
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MCH3374-TL-E P-channel MOSFET Transistor; 3 A; 12 V; 3-Pin MCHP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MCH3374-TL-E详情
ON Semiconductor MCH3374-TL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
2 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-SMD, Flat Lead
表面安装
YES
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1W Ta
Turn Off Delay Time
41 ns
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
70mOhm
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
端子位置
DUAL
引脚数量
3
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1W
接通延迟时间
8.8 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
70m Ω @ 1.5A, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
405pF @ 6V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5.6nC @ 4.5V
上升时间
80ns
漏源电压 (Vdss)
12V
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
50 ns
连续放电电流(ID)
3A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3A
DS 击穿电压-最小值
12V
高度
850μm
长度
2mm
宽度
1.6mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MCH3374-TL-E拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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