ON Semiconductor MCH3377-TL-E

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-70, SOT-323

表面安装

YES

引脚数

3

供应商器件包装

3-MCPH

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

42 ns

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A (Ta)

厂商

onsemi

Product Status

活跃

Package Description

LEAD FREE, MCPH3, SC-70, 3 PIN

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

419AQ

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

MCH3377-TL-E

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

终身购买

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.12

Drain Current-Max (ID)

3 A

包装

Cut Tape (CT)

系列

-

JESD-609代码

e6

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

电阻

83 mΩ

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

1 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-F3

Brand Name

安森美半导体

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1 W

接通延迟时间

8.1 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

83mOhm @ 1.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

-

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

375 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.6 nC @ 4.5 V

上升时间

26 ns

漏源电压 (Vdss)

-20 V

极性/通道类型

P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

3 A

栅极至源极电压(Vgs)

10 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3 A

漏极-源极导通最大电阻

0.083 Ω

漏源击穿电压

20 V

输入电容

375 pF

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1 W

场效应管特性

-

漏源电阻

83 mΩ

最大rds

83 mΩ

宽度

1.6 mm

高度

850 µm

长度

2 mm

辐射硬化

无

无铅

无铅