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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.842921
10
¥2.681998
100
¥2.53019
500
¥2.386968
1000
¥2.251859
ON Semiconductor MCH3421-TL-E
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- 对比
MCH3421-TL-E
1807-MCH3421-TL-E
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
3-SMD, Flat Leads
大陆
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,800MA I(D),SC-70VAR
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MCH3421-TL-E详情
ON Semiconductor MCH3421-TL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
1 Week
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-SMD, Flat Leads
表面安装
YES
供应商器件包装
3-MCPH
Package
Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
800mA (Ta)
厂商
onsemi
Power Dissipation (Max)
900mW (Ta)
Product Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Levels
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
MCH3421-TL-E
Manufacturer
安森美半导体
Part Life Cycle Code
生命周期结束
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.74
操作温度
150°C (TJ)
系列
-
JESD-609代码
e6
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
子类别
FET 通用电源
技术
MOSFET (Metal Oxide)
Reach合规守则
not_compliant
配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
890mOhm @ 400mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
-
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
165 pF @ 20 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
4.8 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
100 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.8 A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.9 W
场效应管特性
-
MCH3421-TL-E拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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