ON Semiconductor MCR12DSN-001G
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MCR12DSN-001G
1807-MCR12DSN-001G
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MCR12DSN-001G详情
ON Semiconductor MCR12DSN-001G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
Package Description
PLASTIC, CASE 369D-01, DPAK-3
Risk Rank
5.68
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Part Life Cycle Code
Obsolete
Number of Elements
1
Manufacturer
安森美半导体
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
MCR12DSN-001G
Rohs Code
无
Operating Temperature-Max
110 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Min
-40 °C
Manufacturer Package Code
CASE 369D-01
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Leakage Current-Max
0.5 mA
Package Style
IN-LINE
Part Package Code
TO-252
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.30.00.80
子类别
可控硅
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
ANODE
触发装置类型
SCR
On-state Current-Max
12000 A
重复峰值关态电压
800 V
非重复Pk在态电流
100 A
断态电压临界上升率-最小值
2 V/us
重复峰值反向电压
800 V
均方根通态电流-最大值
12 A
保持电流-最大
10 mA
直流栅极触发电流(最大)
0.2 mA
直流栅极触发电压(最大)
1 V
MCR12DSN-001G拓展信息







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