MCR12DSNT4
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ON Semiconductor MCR12DSNT4

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型号

MCR12DSNT4

utmel 编号

1807-MCR12DSNT4

商品类别

晶闸管 - SCR

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifier - SCR, DPAK (SINGLE GAUGE) TO-252, 2500-REEL

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MCR12DSNT4
MCR12DSNT4 ON Semiconductor Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifier - SCR, DPAK (SINGLE GAUGE) TO-252, 2500-REEL

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MCR12DSNT4详情

ON Semiconductor MCR12DSNT4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    2

  • Package Description

    PLASTIC, CASE 369C, DPAK-3

  • Package Style

    小概要

  • Leakage Current-Max

    0.01 mA

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Manufacturer Package Code

    369C

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Operating Temperature-Max

    110 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    MCR12DSNT4

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    安森美半导体

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    ON SEMICONDUCTOR

  • Risk Rank

    5.13

  • Part Package Code

    TO-252

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • HTS代码

    8541.30.00.80

  • 子类别

    可控硅

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    240

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    不合格

  • Brand Name

    安森美半导体

  • 配置

    SINGLE

  • 箱体转运

    ANODE

  • 触发装置类型

    SCR

  • On-state Current-Max

    12000 A

  • 重复峰值关态电压

    800 V

  • 非重复Pk在态电流

    100 A

  • 断态电压临界上升率-最小值

    2 V/us

  • 重复峰值反向电压

    800 V

  • 均方根通态电流-最大值

    12 A

  • 保持电流-最大

    6 mA

  • 直流栅极触发电流(最大)

    0.2 mA

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor MCR12DSNT4.

MCR12DSNT4拓展信息

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