ON Semiconductor MGB19N35CLT4

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Manufacturer

安森美半导体

Manufacturer Package Code

CASE 418B-03

Manufacturer Part Number

MGB19N35CLT4

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Description

CASE 418B-03, D2PAK-3

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Part Life Cycle Code

Obsolete

Part Package Code

SFM

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rise Time-Max (tr)

6000 ns

Risk Rank

5.89

RoHS

Non-Compliant

Rohs Code

无

Turn-off Time-Nom (toff)

25000 ns

Turn-on Time-Nom (ton)

6500 ns

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

绝缘栅BIP晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

汽车点火装置

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大耗散功率(Abs)

165 W

集电极电流-最大值(IC)

19 A

集电极-发射器电压-最大值

380 V

栅极-发射极电压-最大值

22 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

2 V

最大下降时间 (tf)

22000 ns