ON SEMICONDUCTOR MGP19N35CL

工厂交货时间

[object Object]

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

175°C

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

上升时间-最大值

6000ns

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

汽车点火装置

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大耗散功率(Abs)

165W

接通时间

6500 ns

集电极电流-最大值(IC)

19A

关断时间-标准值（toff)

25000 ns

集电极-发射器电压-最大值

380V

栅极-发射极电压-最大值

22V

栅极-发射极Thr电压-最大值

2V

最大下降时间 (tf)

22000ns

RoHS状态

Non-RoHS Compliant