ON Semiconductor MGSF1P02LT1G
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MGSF1P02LT1G
1807-MGSF1P02LT1G
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MGSF1P02LT1G详情
ON Semiconductor MGSF1P02LT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
LEAD FREE, CASE 318-08, 3 PIN
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
CASE 318-08
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
MGSF1P02LT1G
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
安森美半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.15
Part Package Code
SOT-23
Drain Current-Max (ID)
0.75 A
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.21.00.95
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-236
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.75 A
漏极-源极导通最大电阻
0.35 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.4 W
MGSF1P02LT1G拓展信息







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