ON Semiconductor MGY25N120D
- 收藏
- 对比
MGY25N120D
1807-MGY25N120D
无类别的
--
大陆
立即发货

Insulated Gate Bipolar Transistor, 38A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA
1最小包装量--
MGY25N120D详情
ON Semiconductor MGY25N120D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
厂商
PEI-Genesis
Product Status
活跃
Package Description
CASE 340G-02, 3 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Turn-on Time-Nom (ton)
214 ns
Manufacturer Package Code
CASE 340G-02
Turn-off Time-Nom (toff)
876 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Manufacturer Part Number
MGY25N120D
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.67
Part Package Code
TO-264AA
系列
*
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
附加功能
ULTRAFAST, HIGH SPEED
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-264AA
集电极电流-最大值(IC)
38 A
集电极-发射器电压-最大值
1200 V
MGY25N120D拓展信息







哦! 它是空的。