ON Semiconductor MJB42C

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5 V

hFEMin

30

Manufacturer Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

418B-04

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

150 °C

Transition Frequency-Nom (fT)

3 MHz

Manufacturer Part Number

MJB42C

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Part Life Cycle Code

生命周期结束

Number of Elements

1

Risk Rank

5.18

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

65 W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

Brand Name

安森美半导体

极性

PNP

配置

SINGLE

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

3 MHz

极性/通道类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

100 V

最大集电极电流

6 A

集电极基极电压(VCBO)

100 V

最大耗散功率(Abs)

65 W

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

6 A

最小直流增益（hFE）

15

集电极-发射器电压-最大值

100 V

无铅

含铅