ON Semiconductor MJB42CT4
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MJB42CT4
1807-MJB42CT4
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6.0 A, 100 V PNP Bipolar Power Transisto
--最小包装量--
MJB42CT4详情
ON Semiconductor MJB42CT4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
418B-04
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
150 °C
Transition Frequency-Nom (fT)
3 MHz
Manufacturer Part Number
MJB42CT4
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
安森美半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
生命周期结束
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.18
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
其他晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
Brand Name
安森美半导体
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
最大耗散功率(Abs)
65 W
集电极电流-最大值(IC)
6 A
最小直流增益(hFE)
15
集电极-发射器电压-最大值
100 V
MJB42CT4拓展信息







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