MJD112-001G
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ON Semiconductor MJD112-001G

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型号

MJD112-001G

utmel 编号

1807-MJD112-001G

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

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MJD112-001G ON Semiconductor

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MJD112-001G详情

ON Semiconductor MJD112-001G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    IN-LINE, R-PSIP-T3

  • Package Style

    IN-LINE

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Manufacturer Package Code

    CASE 369D-01

  • Reflow Temperature-Max (s)

    40

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    25 MHz

  • Manufacturer Part Number

    MJD112-001G

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    安森美半导体

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    ON SEMICONDUCTOR

  • Risk Rank

    5.23

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSIP-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 集电极电流-最大值(IC)

    2 A

  • 最小直流增益(hFE)

    200

  • 集电极-发射器电压-最大值

    100 V

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MJD112-001G拓展信息

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公司资质

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AS
SMTA
DUNS