ON Semiconductor MJD112-001G
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MJD112-001G
1807-MJD112-001G
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MJD112-001G详情
ON Semiconductor MJD112-001G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
IN-LINE, R-PSIP-T3
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
CASE 369D-01
Reflow Temperature-Max (s)
40
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
25 MHz
Manufacturer Part Number
MJD112-001G
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
安森美半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.23
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
集电极电流-最大值(IC)
2 A
最小直流增益(hFE)
200
集电极-发射器电压-最大值
100 V
MJD112-001G拓展信息







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