ON Semiconductor MJD112L

表面安装

NO

房屋材料

Plastic

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Airflow

15.36 CFM

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Transition Frequency-Nom (fT)

25 MHz

Manufacturer Part Number

MJD112L

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

KEC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

KEC CORP

Risk Rank

5.69

终端

电线引线

ECCN 代码

EAR99

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR

HTS代码

8541.29.00.95

额定功率

1.2 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

极性/通道类型

NPN

轴承类型

Ball

集电极电流-最大值(IC)

2 A

最小直流增益（hFE）

1000

集电极-发射器电压-最大值

100 V

宽度

15 mm

高度

60 mm

长度

60 mm