ON Semiconductor MJD117L
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MJD117L
1807-MJD117L
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MJD117L详情
ON Semiconductor MJD117L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Ihs Manufacturer
KEC CORP
Manufacturer
KEC
Manufacturer Part Number
MJD117L
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Description
IN-LINE, R-PSIP-T3
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
IN-LINE
Part Life Cycle Code
Obsolete
Risk Rank
5.68
Transition Frequency-Nom (fT)
25 MHz
ECCN 代码
EAR99
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
其他晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
极性/通道类型
PNP
最大耗散功率(Abs)
20 W
集电极电流-最大值(IC)
2 A
最小直流增益(hFE)
1000
集电极-发射器电压-最大值
100 V
MJD117L拓展信息







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