ON Semiconductor MJD148T4
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MJD148T4
1807-MJD148T4
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
1最小包装量--
MJD148T4详情
ON Semiconductor MJD148T4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
Obsolete (Last Updated: 2 years ago)
表面安装
YES
引脚数
3
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Saturation Voltage
500 mV
hFEMin
40
Voltage Rating (DC)
45 V
Manufacturer Lifecycle Status
OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)
RoHS
Compliant
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Transition Frequency-Nom (fT)
3 MHz
Manufacturer Part Number
MJD148T4
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
摩托罗拉半导体产品
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
MOTOROLA INC
Risk Rank
5.72
包装
卷带
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
HTS代码
8541.29.00.95
最大功率耗散
20 W
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
额定电流
4 A
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
极性
NPN
配置
SINGLE
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
3 MHz
极性/通道类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
45 V
最大集电极电流
4 A
集电极基极电压(VCBO)
45 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
集电极电流-最大值(IC)
4 A
最小直流增益(hFE)
30
连续集电极电流
4 A
集电极-发射器电压-最大值
45 V
环境耗散-最大值
20 W
无铅
含铅
MJD148T4拓展信息
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