ON Semiconductor MJD18002D2T4

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

hFEMin

14

Voltage Rating (DC)

450 V

Manufacturer Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Package Description

PLASTIC, CASE 369C, DPAK-3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

369C

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

150 °C

Transition Frequency-Nom (fT)

13 MHz

Manufacturer Part Number

MJD18002D2T4

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

生命周期结束

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.35

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

自由旋转二极管

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

50 W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

2 A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

Brand Name

安森美半导体

极性

NPN

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

450 V

最大集电极电流

2 A

集电极基极电压(VCBO)

1 kV

最大耗散功率(Abs)

50 W

发射极基极电压 (VEBO)

11 V

集电极电流-最大值(IC)

2 A

最小直流增益（hFE）

6

集电极-发射器电压-最大值

450 V

无铅

含铅