ON Semiconductor MJD200-1

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Turn-off Time-Max (toff)

190 ns

Risk Rank

5.78

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

65 MHz

Manufacturer Part Number

MJD200-1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

摩托罗拉半导体产品

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

MOTOROLA INC

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.75

子类别

其他晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

最大耗散功率(Abs)

12 W

集电极电流-最大值(IC)

5 A

最小直流增益（hFE）

10

集电极-发射器电压-最大值

25 V

VCEsat-最大值

1.8 V

集电极-基极电容-最大值

80 pF

环境耗散-最大值

12.5 W