ON Semiconductor MJD200RL
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MJD200RL
1807-MJD200RL
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5 A, 25 V NPN Bipolar Power Transisto
1最小包装量--
MJD200RL详情
ON Semiconductor MJD200RL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
面板安装
表面安装
YES
越来越多的功能
Bulkhead - Front Side Nut
触点形状
Circular
外壳材料
Aluminum
插入材料
-
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
Base Product Number
D38999/24ZC
Contact Sizes
16
厂商
Amphenol Aerospace Operations
Product Status
活跃
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
369C
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
150 °C
Transition Frequency-Nom (fT)
65 MHz
Manufacturer Part Number
MJD200RL
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
安森美半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
生命周期结束
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.68
操作温度
-65°C ~ 175°C
系列
Military, MIL-DTL-38999 Series III, Tri-Start™ TV
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
连接器类型
插座外壳
类型
用于内螺纹插座
定位的数量
4
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
紧固类型
Threaded
子类别
其他晶体管
触点类型
Crimp
端子位置
SINGLE
方向
D
终端形式
鸥翼
屏蔽/屏蔽
Shielded
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
入口保护
抗环境干扰
Reach合规守则
not_compliant
外壳完成
锌 镍
引脚数量
3
外壳尺寸-插入
13-4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
房屋颜色
Black
Brand Name
安森美半导体
配置
SINGLE
注意
不包括触点
外壳尺寸,MIL
C
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
包括
-
最大耗散功率(Abs)
13 W
集电极电流-最大值(IC)
5 A
最小直流增益(hFE)
10
集电极-发射器电压-最大值
25 V
特征
-
材料可燃性等级
-
MJD200RL拓展信息







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