ON Semiconductor MJD29C-1

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

3 MHz

Manufacturer Part Number

MJD29C-1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

三星半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.91

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

其他晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

最大耗散功率(Abs)

15 W

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

15

集电极-发射器电压-最大值

100 V

VCEsat-最大值

0.7 V

环境耗散-最大值

15 W