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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.137674
10
¥2.960069
100
¥2.792519
500
¥2.634449
1000
¥2.48533
ON Semiconductor MJD32C1
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- 对比
MJD32C1
1807-MJD32C1
无类别的
--
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MJD32C1详情
ON Semiconductor MJD32C1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
表面安装
NO
引脚数
3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Case
厂商
Autec 电力系统
Product Status
活跃
Voltage-Input
100 ~ 240 VAC
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.2 V
hFEMin
25
Number of Elements
1
RoHS
Non-Compliant
Package Description
PLASTIC, CASE 369D-01, DPAK-3
Package Style
IN-LINE
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
CASE 369D-01
Reflow Temperature-Max (s)
30
Rohs Code
无
Transition Frequency-Nom (fT)
3 MHz
Manufacturer Part Number
MJD32C1
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.15
系列
DT012B (12W)
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
应用
ITE (Commercial)
功率(瓦特)
12 W
最大功率耗散
1.56 W
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
unknown
频率
3 MHz
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
COMMERCIAL
效率
六级
极性
PNP
配置
SINGLE
最大输出电流
500mA
元素配置
Single
功率耗散
1.56 W
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
IEC 320-C6
电压 - 输出
24V
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
3 MHz
极性/通道类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
100 V
最大集电极电流
3 A
表格
Desktop
输出连接器
迷你USB
集电极基极电压(VCBO)
100 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
集电极电流-最大值(IC)
3 A
最小直流增益(hFE)
10
集电极-发射器电压-最大值
100 V
MJD32C1拓展信息






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