ON SEMICONDUCTOR MJD32C1G
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MJD32C1G
1807-MJD32C1G
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MJD32C1G详情
ON SEMICONDUCTOR MJD32C1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
150°C
JESD-609代码
e3
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
转换频率
3MHz
最大耗散功率(Abs)
15W
集电极电流-最大值(IC)
3A
最小直流增益(hFE)
10
集电极-发射器电压-最大值
100V
RoHS状态
符合RoHS标准
MJD32C1G拓展信息







哦! 它是空的。