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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.158974
10
¥2.980159
100
¥2.811471
500
¥2.652334
1000
¥2.502202
ON Semiconductor MJD32T4
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- 对比
MJD32T4
1807-MJD32T4
集成电路(IC)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W PNP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MJD32T4详情
ON Semiconductor MJD32T4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件包装
DPAK
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
MJD32T4
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Package Description
PLASTIC, CASE 369C, DPAK-3
Manufacturer Package Code
CASE 369C
Risk Rank
5.15
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
30
Transition Frequency-Nom (fT)
3 MHz
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
3 A
Base Product Number
MJD32
厂商
onsemi
Product Status
Obsolete
操作温度
-
系列
-
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
15 W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
10 @ 3A, 4V
最大集极截止电流
50µA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.2V @ 375mA, 3A
电压 - 集射极击穿(最大值)
40 V
频率转换
3MHz
集电极电流-最大值(IC)
3 A
最小直流增益(hFE)
10
集电极-发射器电压-最大值
40 V
MJD32T4拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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