ON Semiconductor MJD41C1
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MJD41C1
1807-MJD41C1
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6A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, CASE 369-07, 3 PIN
1最小包装量--
MJD41C1详情
ON Semiconductor MJD41C1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
IN-LINE, R-PSIP-T3
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Transition Frequency-Nom (fT)
3 MHz
Manufacturer Part Number
MJD41C-1
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
摩托罗拉半导体产品
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
MOTOROLA INC
Turn-off Time-Max (toff)
550 ns
Risk Rank
5.71
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
其他晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
最大耗散功率(Abs)
20 W
集电极电流-最大值(IC)
6 A
最小直流增益(hFE)
15
集电极-发射器电压-最大值
100 V
VCEsat-最大值
1.5 V
环境耗散-最大值
20 W
MJD41C1拓展信息







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