ON Semiconductor MLP1N06CLG
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MLP1N06CLG
1807-MLP1N06CLG
PMIC - 配电开关,负载驱动器
TO-220-3
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IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB
1最小包装量--
MLP1N06CLG详情
ON Semiconductor MLP1N06CLG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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生命周期状态
OBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
表面安装
NO
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
4 ns
操作温度
-50°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
SMARTDISCRETES™
已出版
2010
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
逻辑电平兼容
电压 - 额定直流
62V
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
1A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MLP1N06
引脚数量
3
输出的数量
1
资历状况
不合格
输出类型
N-Channel
界面
On/Off
元素配置
Single
输出配置
低侧
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
40W
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
不需要
箱体转运
DRAIN
输入类型
Non-Inverting
开关类型
通用型
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
4ns
下降时间(典型值)
3 ns
连续放电电流(ID)
1A
比率-输入:输出
1:1
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
10V
电压-负荷
59V Max
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2.75A
漏源击穿电压
59V
雪崩能量等级(Eas)
80 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Rds On(Typ)
590m Ω
漏源电阻
750mOhm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
MLP1N06CLG拓展信息
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