ON Semiconductor MLP2N06CLG
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MLP2N06CLG
1807-MLP2N06CLG
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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62 V, 2.0 A Power MOSFET, Logic Level, TO-220 3 LEAD STANDARD, 50-TUBE
1最小包装量--
MLP2N06CLG详情
ON Semiconductor MLP2N06CLG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
LEAD FREE, CASE 221A-09, 3 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
221A-09
Reflow Temperature-Max (s)
40
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
MLP2N06CLG
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
安森美半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.47
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
2 A
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
防静电
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
Brand Name
安森美半导体
配置
SINGLE WITH BUILT-IN BIPOLAR TRANSISTOR, DIODE AND RESISTOR
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
0.4 Ω
DS 击穿电压-最小值
58 V
雪崩能量等级(Eas)
80 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
40 W
MLP2N06CLG拓展信息
ON Semiconductor
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