ON Semiconductor MMBD6100L
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MMBD6100L
1807-MMBD6100L
无类别的
Wide 2010 (5025 Metric), 1020
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Rectifier Diode, Common Cathode, 70 Volt, SOT-23
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MMBD6100L详情
ON Semiconductor MMBD6100L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
Wide 2010 (5025 Metric), 1020
表面安装
YES
供应商器件包装
1020
二极管元件材料
SILICON
终端数量
3
Package
Tape & Reel (TR)
厂商
TE Connectivity 无源产品
Product Status
活跃
Package Description
R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
MMBD6100L
Power Dissipation (Max)
0.225 W
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
摩托罗拉半导体产品
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MOTOROLA INC
Forward Voltage-Max (VF)
0.7 V
Risk Rank
5.38
操作温度
-55°C ~ 155°C
系列
3430
尺寸/尺寸
0.096 L x 0.197 W (2.45mm x 5.00mm)
容差
±1%
JESD-609代码
e0
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
温度系数
±100ppm/°C
电阻
56 Ohms
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
组成
厚膜
功率(瓦特)
2W
HTS代码
8541.10.00.70
子类别
研磨二极管
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
失败率
-
配置
COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管类型
接收电极
输出电流-最大值
0.2 A
Rep Pk反向电压-最大值
70 V
JEDEC-95代码
TO-236AB
反向恢复时间-最大值
0.004 µs
特征
Automotive AEC-Q200
座位高度(最大)
0.030 (0.75mm)
评级结果
AEC-Q200
MMBD6100L拓展信息







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