ON Semiconductor MMBF0202PLT1
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MMBF0202PLT1
1807-MMBF0202PLT1
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Mosfet P-ch 20V 300MA SOT-23
--最小包装量--
MMBF0202PLT1详情
ON Semiconductor MMBF0202PLT1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
CASE 318-08, 3 PIN
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
CASE 318-08
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
MMBF0202PLT1
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
安森美半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
7.37
Part Package Code
SOT-23
Drain Current-Max (ID)
0.3 A
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.21.00.95
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
245
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-236
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.3 A
漏极-源极导通最大电阻
1.4 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.225 W
MMBF0202PLT1拓展信息







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