ON Semiconductor MMBR5179LT1
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MMBR5179LT1
1807-MMBR5179LT1
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Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-236
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MMBR5179LT1详情
ON Semiconductor MMBR5179LT1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Transition Frequency-Nom (fT)
1400 MHz
Manufacturer Part Number
MMBR5179LT1
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
摩托罗拉半导体产品
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MOTOROLA INC
Risk Rank
7.37
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
低噪音
HTS代码
8541.21.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
JEDEC-95代码
TO-236AB
集电极电流-最大值(IC)
0.05 A
最小直流增益(hFE)
25
集电极-发射器电压-最大值
15 V
VCEsat-最大值
0.4 V
最高频段
超高频段
集电极-基极电容-最大值
1 pF
环境耗散-最大值
0.375 W
MMBR5179LT1拓展信息







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