MMBT2907LT1
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ON Semiconductor MMBT2907LT1

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型号

MMBT2907LT1

utmel 编号

1807-MMBT2907LT1

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB

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MMBT2907LT1
MMBT2907LT1 ON Semiconductor Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB

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MMBT2907LT1详情

ON Semiconductor MMBT2907LT1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    200 MHz

  • Manufacturer Part Number

    MMBT2907LT1

  • Turn-on Time-Max (ton)

    45 ns

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    摩托罗拉半导体产品

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    MOTOROLA INC

  • Turn-off Time-Max (toff)

    100 ns

  • Risk Rank

    6.95

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • HTS代码

    8541.21.00.75

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    PNP

  • JEDEC-95代码

    TO-236AB

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.6 A

  • 最小直流增益(hFE)

    75

  • 集电极-发射器电压-最大值

    40 V

  • VCEsat-最大值

    1.6 V

  • 集电极-基极电容-最大值

    8 pF

  • 环境耗散-最大值

    0.225 W

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MMBT2907LT1拓展信息

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ISO13485
AS
SMTA
DUNS