ON Semiconductor MMBT2907LT1
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MMBT2907LT1
1807-MMBT2907LT1
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
--最小包装量--
MMBT2907LT1详情
ON Semiconductor MMBT2907LT1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Non-Compliant
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Transition Frequency-Nom (fT)
200 MHz
Manufacturer Part Number
MMBT2907LT1
Turn-on Time-Max (ton)
45 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
摩托罗拉半导体产品
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MOTOROLA INC
Turn-off Time-Max (toff)
100 ns
Risk Rank
6.95
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.21.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
JEDEC-95代码
TO-236AB
集电极电流-最大值(IC)
0.6 A
最小直流增益(hFE)
75
集电极-发射器电压-最大值
40 V
VCEsat-最大值
1.6 V
集电极-基极电容-最大值
8 pF
环境耗散-最大值
0.225 W
MMBT2907LT1拓展信息







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