ON Semiconductor MMBT5551L-B-AE3-R
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MMBT5551L-B-AE3-R
1807-MMBT5551L-B-AE3-R
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MMBT5551L-B-AE3-R详情
ON Semiconductor MMBT5551L-B-AE3-R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
300 MHz
Manufacturer Part Number
MMBT5551L-B-AE3-R
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Unisonic Technologies Co Ltd
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
Risk Rank
5.22
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.75
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
最大耗散功率(Abs)
0.35 W
集电极电流-最大值(IC)
0.6 A
最小直流增益(hFE)
150
集电极-发射器电压-最大值
160 V
MMBT5551L-B-AE3-R拓展信息







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