ON Semiconductor MMBT5551LT3
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MMBT5551LT3
1807-MMBT5551LT3
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High Voltage NPN Bipolar Transisto
1最小包装量--
MMBT5551LT3详情
ON Semiconductor MMBT5551LT3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Manufacturer
安森美半导体
Manufacturer Package Code
318-08
Manufacturer Part Number
MMBT5551LT3
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Part Life Cycle Code
生命周期结束
Part Package Code
SOT-23
Reflow Temperature-Max (s)
30
Risk Rank
5.14
Transition Frequency-Nom (fT)
200 MHz
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.21.00.75
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
Brand Name
安森美半导体
配置
SINGLE
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
JEDEC-95代码
TO-236AB
最大耗散功率(Abs)
0.225 W
集电极电流-最大值(IC)
0.06 A
最小直流增益(hFE)
30
集电极-发射器电压-最大值
160 V
MMBT5551LT3拓展信息







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