ON Semiconductor MMBTA56LT3

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)

Voltage Rating (DC)

-80 V

hFEMin

100

Collector-Emitter Saturation Voltage

-250 mV

RoHS

Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Transition Frequency-Nom (fT)

50 MHz

Manufacturer Part Number

MMBTA56LT3

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

摩托罗拉半导体产品

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

MOTOROLA INC

Risk Rank

8.23

包装

卷带

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.21.00.95

最大功率耗散

225 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

额定电流

-500 mA

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

极性

PNP

配置

SINGLE

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

50 MHz

极性/通道类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

-80 V

最大集电极电流

500 mA

JEDEC-95代码

TO-236AB

集电极基极电压(VCBO)

-80 V

发射极基极电压 (VEBO)

4 V

集电极电流-最大值(IC)

0.5 A

最小直流增益（hFE）

100

集电极-发射器电压-最大值

80 V

VCEsat-最大值

0.25 V

环境耗散-最大值

0.225 W

无铅

含铅