ON Semiconductor MMBV109LT1G
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MMBV109LT1G
1807-MMBV109LT1G
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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DIODE TUNING SS 30V SOT23
--最小包装量--
MMBV109LT1G详情
ON Semiconductor MMBV109LT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
0.2W
Breakdown Voltage / V
30V
操作温度
125°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2001
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.80
电容量
26pF
电压 - 额定直流
30V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
200mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MMBV109
引脚数量
3
资历状况
不合格
二极管类型
Single
电容@Vr, F
32pF @ 3V 1MHz
反向电压
30V
频带
极高频率
二极管电容-标称
29pF
电容比
6.5
电容比环境
C3/C25
最小品质因数
200
Q@Vr,F
200 @ 3V, 50MHz
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
MMBV109LT1G拓展信息
onsemi
ON Semiconductor
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