ON Semiconductor MMBZ10VALT1G

表面安装

YES

二极管元件材料

SILICON

终端数量

3

Package Description

R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 318

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MMBZ10VALT1G

Power Dissipation (Max)

0.225 W

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Breakdown Voltage-Nom

10 V

Risk Rank

5.64

Part Package Code

SOT-23

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

瞬态抑制器

技术

ZENER

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

COMMON ANODE, 2 ELEMENTS

二极管类型

跨压抑制二极管

Rep Pk反向电压-最大值

6.5 V

JEDEC-95代码

TO-236AB

最大非代表峰值转速功率Dis

24 W

击穿电压-最小值

9.5 V

最大箝位电压

14.2 V

击穿电压-最大值

10.5 V