ON Semiconductor MMBZ15VALT1

表面安装

YES

二极管元件材料

SILICON

终端数量

3

Package Description

R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

318-08

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

30

Reference Voltage-Nom

15 V

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

MMBZ15VALT1

Power Dissipation (Max)

0.225 W

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

7.2

Part Package Code

SOT-23

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

电压基准二极管

技术

ZENER

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

Brand Name

安森美半导体

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

COMMON ANODE, 2 ELEMENTS

二极管类型

跨压抑制二极管

Rep Pk反向电压-最大值

12 V

JEDEC-95代码

TO-236

工作测试电流

1 mA

最大非代表峰值转速功率Dis

40 W

击穿电压-最小值

14.25 V

击穿电压-最大值

15.75 V